硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V，锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V（）

锗二极管的导通电压(  )，死区电压(  )。硅二极管的导通电压(  )，死区电压(  )。

  (a) 0.7V  (b) 0.1V  (c) 0.3V  (d) 0.5V

常温下，硅二极管的开启电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V;锗二极管的开启电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V。

A、0.5

B、0.7

C、0.1

D、0.2

硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下，它们的正向导通电压的工程取值分别为______V和______V。

硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V，通常情况下，它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。

A、硅二极管的导通压降比锗二极管的大，但硅二极管的开启电压比锗二极管的小

B、硅二极管的导通压降和开启电压均比锗二极管的大

C、硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的小

D、一般情况下，硅二极管的反向击穿电压一般比锗二极管的小一些