题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
硅二极管和锗二极管的门槛电压（死区电压)分别约为__________V和__________V，通常情况下，它们的正
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V，通常情况下，它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
_______运动形成的。PN结的基本特性是__________。
更多“硅二极管和锗二极管的门槛电压（死区电压)分别约为______…”相关的问题
第3题
用指针式三用表的电阻挡测量晶体三极管，黑表笔接三极管的一个电极，红表笔分别接另两电极时的电阻
较小，交换红黑表笔测量时阻值较大，则该管为NPN管。 ( )
此题为判断题(对，错)。
第5题
用两个相同型号的硅稳压管组成如图1．5．8所示的稳压电路，已知稳压管的稳压值为5．3V，正常工作电流
范围为1 mA一10mA，负载电阻RL的变化范围为3kΩ～4kΩ。试确定限流电阻尺的标称取值范围，并分析两个稳压管反向串接的理由。
第8题
共射极应用时晶体管的电流分配关系为_________，其中穿透电流是ICBO，的_________倍，它随温度的升
高而_________，所以它是电子器件高温下失效的根本原因。
第9题
晶体管是一个电流控制器件，表明正向控制能力的参数是_________和_________。场效应管是一个电压控
制器件，表明正向控制能力的参数是_________。无论晶体管还是场效应管，在放大区工作时其电极之间的电压和电极电流只有_________变化，没有变化。
第10题
由于肖特基二极管没有少子的电荷存储效应，因而常用在_________电子电路中。发光二极管常用GaAs材
料制作，它的正向导通电压比普通二极管的_________。变容二极管运用时应加_________电压，其原理是PN结的_________ 特性。
热门考试
全部 >
