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[主观题]
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V,通常情况下,它们的正
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V,通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。
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硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V,通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。
第1题
_______运动形成的。PN结的基本特性是__________。
第3题
较小,交换红黑表笔测量时阻值较大,则该管为NPN管。 ( )
此题为判断题(对,错)。
第5题
范围为1 mA一10mA,负载电阻RL的变化范围为3kΩ~4kΩ。试确定限流电阻尺的标称取值范围,并分析两个稳压管反向串接的理由。
第8题
高而_________,所以它是电子器件高温下失效的根本原因。
第9题
制器件,表明正向控制能力的参数是_________。无论晶体管还是场效应管,在放大区工作时其电极之间的电压和电极电流只有_________变化,没有变化。
第10题
料制作,它的正向导通电压比普通二极管的_________。变容二极管运用时应加_________电压,其原理是PN结的_________ 特性。
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