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[主观题]

硅三极管发射结的死区电压约 V,锗三极管死区电压约 V。晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为 V,锗管约为 V

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第1题

放大电路中,硅三极管发射结工作电压是0.3V。()

此题为判断题(对,错)。

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第2题

放大电路中,硅三极管发射结工作电压是0.7V。()

此题为判断题(对,错)。

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第3题

放大电路中,锗三极管发射结工作电压是0.3V。()

此题为判断题(对,错)。

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第4题

放大电路中,锗三极管发射结工作电压是0.5V。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题

在晶体管交流放大电路中,温度变化时将影响( )。

A.三极管发射结电压

B.三极管的反向饱和电流

C.三极管的静态电流放大系数

D.基极电源电压EB

E.放大电路的输入信号的电压

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第6题

三极管工作在放大区时,发射结加(  )电压,集电结加(  )电压。
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第7题

晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置,晶体三极管处于( )工作状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.开路

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第8题

晶体三极管基极电流保持不变,当()时,三极管工作在放大区。

A、发射结加正向电压、集电结加反向电压;

B、发射结加正向电压、集电结加正向电压;

C、发射结加反向电压、集电结加反向电压;

D、发射结加反向电压、集电结加正向电压。

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第9题

晶体三极管在放大器正常工作时,发射极加电压,集电极加()。

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第10题

当三极管的发射结反偏或两端电压为零时,三极管处于()状态。

A.饱

B.恒流

C.放大

D.截止

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