第1题
B、Ge
C、氮化镓
D、砷化镓
第2题
A、硅
B、锗
第3题
第4题
A、锗
B、氮化硅
C、硅
D、石墨烯
第5题
B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D、易于进行n型和p型掺杂
第6题
B、砷化镓
C、锗
D、磷化铟
第7题
A、砷化镓
第8题
此题为判断题(对,错)。
第9题
B、硅
D、锗硅材料
第10题
A. 砷化镓
B. 硅
C. 磷
D. 锢
您认为本题答案有误,我们将认真、仔细核查, 如果您知道正确答案,欢迎您来纠错
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!