A.Si
B.Ge
C.氮化镓
D.砷化镓
第1题
此题为判断题(对,错)。
第2题
B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D、易于进行n型和p型掺杂
第3题
B.硅
C.钠
D.碳
第4题
第5题
第6题
B、锗
C、砷化镓
D、氮化镓
第7题
第8题
第9题
B.空穴导电为主
C.离子导电为主
D.导电能力很弱
第10题
您认为本题答案有误,我们将认真、仔细核查, 如果您知道正确答案,欢迎您来纠错
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!