A.硅
B.锗
C.氮化镓
D.砷化镓
第1题
B、Ge
C、氮化镓
D、砷化镓
第2题
此题为判断题(对,错)。
第3题
第4题
B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D、易于进行n型和p型掺杂
第5题
A、锗
B、氮化硅
C、硅
D、石墨烯
第6题
A. 砷化镓
B. 硅
C. 磷
D. 锢
第7题
第8题
第9题
A、应变效应
B、压电效应
C、压阻效应
D、电阻效应
第10题
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