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[主观题]

禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子

禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。

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第1题

介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离

方法。常用的电介质是()层。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

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第2题

半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。一种是(),另一种是()。

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第3题

气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、()率,并影响其电学性能和()性,所以半导体芯片制造工艺

需在超净厂房内进行。

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第4题

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;

外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。

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第5题

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

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第6题

简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?

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第7题

钎焊包括合金烧结、共晶焊;聚合物焊又可分为()、()等。

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第8题

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。A.扩散层质量B.设

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。

A.扩散层质量

B.设计

C.光刻

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第9题

离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。

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第10题

双极晶体管的高频参数是()。A.hFEVcesB.BVceC.ftfm

双极晶体管的高频参数是()。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

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