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[主观题]

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。

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第1题

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

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第2题

简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?

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第3题

钎焊包括合金烧结、共晶焊;聚合物焊又可分为()、()等。

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第4题

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。A.扩散层质量B.设

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。

A.扩散层质量

B.设计

C.光刻

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第5题

离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。

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第6题

双极晶体管的高频参数是()。A.hFEVcesB.BVceC.ftfm

双极晶体管的高频参数是()。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

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第7题

金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽

和引线的材料常常是()。

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

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第8题

简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查你的工艺质量?

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第9题

金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。A.塑料B.玻璃

金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。

A.塑料

B.玻璃

C.金属

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第10题

如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍,其长度小于1.5倍或大于6.0倍,判引线键合()。

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