某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

B．通常将衬底b与源极g连接在一起使用。

C．在栅极g与源极s之间加删源电压UGS时，栅极g和衬底b各相当于一个电容极板，中间是二氧化硅绝缘层，于是，栅极g和源极s之间有了电场效应。

D．栅极g与源极s之间加上适当的电压UGS时，会在P型衬底中形成连接漏极与源极之间的、受UGS控制的N型导电沟道。从而能实现栅源电压UGS控制漏极电流ID的放大作用。

A.栅氧化层厚度减小

B.沟道长度增加

C.沟道宽度增加

D.阈值电压提高

A.19kΩ

B.2kΩ

C.4kΩ

D.31kΩ

A.2V

B.4V

C.8V

D.32V

A.1.5V

B.2V

C.2.5V

D.3V

A.80

B.40

C.-40

D.20

A.1V

B.5V

C.7V

D.12V

A.2V

B.2V

C.plusmn;2V

D.|-2V