题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

下图为N沟道绝缘栅型场效应管的结构示意图,下列关于它的描述正确的是()

A.栅极g与源极s,栅极g与漏极d,都由二氧化硅隔离绝缘的,故称为绝缘删型场效应管。

B.通常将衬底b与源极g连接在一起使用。

C.在栅极g与源极s之间加删源电压UGS时,栅极g和衬底b各相当于一个电容极板,中间是二氧化硅绝缘层,于是,栅极g和源极s之间有了电场效应。

D.栅极g与源极s之间加上适当的电压UGS时,会在P型衬底中形成连接漏极与源极之间的、受UGS控制的N型导电沟道。从而能实现栅源电压UGS控制漏极电流ID的放大作用。

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第1题

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第2题

功率场效应管的三个引脚符号为()

A.源极S、漏极D、发射极E

B.漏极D、发射极E、集电极C

C.栅极G、发射极E、集电极C

D.源极S、漏极D、栅极G

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第3题

场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的()

A.栅极电流

B.栅源电压

C.漏源电压

D.栅漏电压

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第4题

功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值()
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第5题

某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()

A.12A

B.25A

C.36A

D.40A

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第6题

改变晶体管栅极的目的是控制源极和漏极之间的()大小

A.电压

B.电流

C.电阻

D.电感

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第7题

场效应管栅极g的功能相对应三极管的集电极c。()
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第8题

每个开关电源中都有一个交流电压最大的节点,这个节点就是();

A.功率开关的栅极

B.功率开关的源极

C.控制IC的地

D.功率开关的漏极

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第9题

结构型场效应管的漏极和源极可以互换使用。()
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第10题

晶体三极管的三个极分别为?()

A.栅极

B.基极

C.集电极

D.发射极

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