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[判断题]

在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。（)

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更多“在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。…”相关的问题

第1题

在大于40倍的显微镜下观察，胶膜上顶针痕迹不可辨认或顶针痕迹太深致使胶膜破损为不良。（)

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第2题

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有()

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有（)

A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第3题

上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应，有偏移为不良。（)

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第4题

更换顶针时,顶针状态确认必须在100X以上显微镜下确认。（)

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第5题

芯片倾斜度大于25.4μm为不良。（)

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第6题

单个空洞x，y向出现横穿芯片为不良。（)

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第7题

需要监控顶针印迹的产品,则需要在高倍镜检记录上背面向上贴上使用设备Pickdie功能顶下的墨点芯片（生产组长必须确认后方可送检)。（)

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第8题

借助金相显微镜，在放在100～200倍时所观察到金属内部组织叫低倍组织（）

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第9题

上芯在进行顶针痕迹项目检查时，必须在()以上显微镜下进行确认

上芯在进行顶针痕迹项目检查时，必须在（)以上显微镜下进行确认

A、45

B、100

C、200

D、500

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第10题

大胶体产品正面离层面积不得大于10%胶体面积，背面不得有明显受力的痕迹。（）

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