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[判断题]

上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应，有偏移为不良。（)

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第1题

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有()

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有（)

A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第2题

上芯后兰膜的检查目的是为了预警崩单晶、翘片、沾污、漏芯片。（)

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第3题

在大于40倍的显微镜下观察，胶膜上顶针痕迹不可辨认或顶针痕迹太深致使胶膜破损为不良。（)

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第4题

在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。（)

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第5题

上芯后退库的兰膜无需烘烤，可以直接退库。（)

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第6题

针对甩胶、DAF膜上芯产品，芯片四周可以不出胶。（)

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第7题

上芯后兰膜的检查目的是为了预警（崩单晶翘片沾污、漏管芯。（)

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第8题

上芯加工完的兰膜由操作员确认签字。（)

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第9题

上芯顶针极限寿命为一个月。（)

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第10题

对于双芯片上芯产品，上芯应先加工绝缘胶产品。（)

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