题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
如果CaChe的存取周期是50 ns，主存的存取周期是500 ns，根据（2)中求出的命中率，求平均存取时间。
如果CaChe的存取周期是50 ns，主存的存取周期是500 ns，根据(2)中求出的命中率，求平均存取时间。
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第3题
下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是( )。
A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存
B．由于容量大，DRAM采用行列地址复用技术，地址引脚数量仅为地址宽度的一半
C．控制线RAS和CAS是DRAM特有的，分别控制从地址线上读行地址和列地址
D．SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
第4题
下列关于存储器的论述中，正确的是( )。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
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