下列关于存储器的论述中,正确的是()。A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高B.常用
下列关于存储器的论述中,正确的是()。
A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高
B.常用的EPR,OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成,出厂时存储内容为全“0”
C.SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息,所以不需要刷新
D.双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高
下列关于存储器的论述中,正确的是()。
A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高
B.常用的EPR,OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成,出厂时存储内容为全“0”
C.SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息,所以不需要刷新
D.双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高
第1题
为了提高访问主存中信息的速度,要求“信息按整数边界存储(对齐方式存储)”,其含义是( )。
A.信息的字节长度必须是整数
B.信息单元的存储地址是其字节长度的整数倍
C.信息单元的字节长度必须是整数
D.信息单元的存储地址必须是整数
请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
第2题
某类型为float的C程序变量x=-1.5,存放于小端方式、按字节编址的主存中,地址为0000 1000H。则地址0000 1000H和0000 1003H中内容分别是( )。
A.00H和BFH
B.BFH和00H
C.OBH和OFH
D.BOH和OFH
请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
第3题
在“小端次序”的机器上,四字节数据12345678H按字节地址由小到大依次存为( )。
A.12345678H
B.56781234H
C.34127856H
D.78563412H
请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
第4题
下列关于多字节数据存储次序的说法中,错误的是( )。
A.小端次序是指数据地址对应的存储单元存放的是数据的最低字节
B.大端次序是指数据地址对应的存储单元存放的是数据的最高字节
C.在同一台机器上,不同的汇编语言程序可以选择使用不同的存储次序
D.汇编语言程序是在采用不同存储次序的机器上不具有可移植性
请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!