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[主观题]

下列关于存储器的论述中,正确的是()。A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高B.常用

下列关于存储器的论述中,正确的是()。

A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高

B.常用的EPR,OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成,出厂时存储内容为全“0”

C.SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息,所以不需要刷新

D.双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高

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第1题

为了提高访问主存中信息的速度,要求“信息按整数边界存储(对齐方式存储)”,其含义是( )。

A.信息的字节长度必须是整数

B.信息单元的存储地址是其字节长度的整数倍

C.信息单元的字节长度必须是整数

D.信息单元的存储地址必须是整数

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第2题

某类型为float的C程序变量x=-1.5,存放于小端方式、按字节编址的主存中,地址为0000 1000H。则地址0000 1000H和0000 1003H中内容分别是( )。

A.00H和BFH

B.BFH和00H

C.OBH和OFH

D.BOH和OFH

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

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第3题

在“小端次序”的机器上,四字节数据12345678H按字节地址由小到大依次存为( )。

A.12345678H

B.56781234H

C.34127856H

D.78563412H

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第4题

下列关于多字节数据存储次序的说法中,错误的是( )。

A.小端次序是指数据地址对应的存储单元存放的是数据的最低字节

B.大端次序是指数据地址对应的存储单元存放的是数据的最高字节

C.在同一台机器上,不同的汇编语言程序可以选择使用不同的存储次序

D.汇编语言程序是在采用不同存储次序的机器上不具有可移植性

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

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