题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
用晶体管3 DG8D组成混频电路。已知工作点发射极电流IE=0.5 mA,本振电压为150 mV,信号频率fs=40 MH
z,中频频率fi=1.5 MHz,中频负载电导GL=1 mS。在工作频率时的输入电导gic=430μS,输出电导goc=10μS。试求变频跨导gc、变频电压增益Avc和变频功率增益Apc。
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第2题
哪个频率上对镜像干扰抑制能力最差,为什么,在哪个频率上中频干扰抑制能力最差,为什么?
第3题
增益。已知:IE=0.08 mA,fs=5 MHz,fi=465 kHz,负载阻抗RL=10 kΩ。晶体管的参数如下:rbb≤45 Ω,fT≥80 MHz,β0=30,Cbc≤3 pF,gce=10μS。
第4题
在图4.5.14中,忽略负载作用,并设二极管D1、D2、D3、D4的端电压分别为v1、v2、v3、v4,且v1=v0+vs,v2=v0-vs,v3=-v0+vs,v4=-v0-vs。每个管子的特性都用级数i=a0+a1v+a2v2+a3v3+a4v4+…表示。试证明:此混频器的总输出电流为
第6题
流电压。 应如何选取V0和Vm,才能使该非线性元件更能近似地当成线性元件来处理?试从物理意义上加以说明。
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