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[主观题]

1)正确选择变频管的工作状态,能否抑制镜频干扰和中频干扰,为什么? 2)若接收机为波段工作,在

哪个频率上对镜像干扰抑制能力最差,为什么,在哪个频率上中频干扰抑制能力最差,为什么?

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第1题

计算图4.5.19所示混频器的输入电导gic、输出电导goc、变频跨导gc、变频器的最大变频增益和实际变频

增益。已知:IE=0.08 mA,fs=5 MHz,fi=465 kHz,负载阻抗RL=10 kΩ。晶体管的参数如下:rbb≤45 Ω,fT≥80 MHz,β0=30,Cbc≤3 pF,gce=10μS。

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第2题

在图4.5.14中,忽略负载作用,并设二极管D1、D2、D3、D4的端电压分别为v1、v2、v3、v4,且v1=v0+vs,v2=v0-

在图4.5.14中,忽略负载作用,并设二极管D1、D2、D3、D4的端电压分别为v1、v2、v3、v4,且v1=v0+vs,v2=v0-vs,v3=-v0+vs,v4=-v0-vs。每个管子的特性都用级数i=a0+a1v+a2v2+a3v3+a4v4+…表示。试证明:此混频器的总输出电流为

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第3题

图4.5.9的非线性元件可用来进行混频吗?为什么?工作点应如何选取?

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第4题

若非线性元件伏安特性为 i=kv2 式中,k为常数。所加电压为 v=V0+Vmcosω0t 式中,V0为直

流电压。 应如何选取V0和Vm,才能使该非线性元件更能近似地当成线性元件来处理?试从物理意义上加以说明。

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第5题

非线性电阻伏安特性曲线如图4.4.1所示,若Im1>Im2,这时应如何考虑v的失真情况?试加以讨论。[提示:

将v展开成为泰勒级数,然后比较两种情况下各项系数的大小。]

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第6题

若晶极管D的转移特性曲线如图4.4.2所示,用它作为二次倍频器。为了使iC中的二次谐波振幅达到最大值

,应如何选取VBB的数值(VBB是直流偏压,设VBZ与Vm均固定不变)。

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第7题

变频器的任务是什么?为什么说变频器是超外差接收机的核心?

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第8题

试证明单调谐回路谐振放大器在谐振时的电压增益也表示为

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第9题

设计一个中频放大器,指标如下:中心频率f0=465 kHz,带宽2△f0.7=8 kHz。负载ZL为下级一个完全相同的

晶体管的输入阻抗,采用自耦变压器一变压器耦合网络。

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第10题

有一单调谐回路谐振放大器,已知晶体管的|yfe|=35 mS,接入系数p1=1/3,p2=1/2,在谐振点的电压增益

为50,通频带为10 kHz。要求: 1)为使放大器的谐振电压增益不超过稳定电压增益(Av0)s=35,回路上应并联多大的电阻R? 2)回路并联R后,放大器的通频带变成多少?

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