写出理想电介质（μ=μ0，ε=ε0C，σ=0)中瞬时麦克斯韦方程组的微分限定形式（即用E和H表示)，并简要标明

写出理想电介质(μ=μ₀，ε=ε₀C，σ=0)中瞬时麦克斯韦方程组的微分限定形式(即用表示)，并简要标明每个方程的物理意义。

写出理想电介质(μ=μ₀，ε=ε₀C，σ=0)无源区域中复麦克斯韦方程组的微分限定形式，并由此推导出电场强度复矢量所满足的亥姆霍兹方程。

写出时变电磁场的边界条件的一般表达式。(2)推导媒质1为理想电介质(电导率γ=0)，媒质2为理想电导体(电导率γ→∞)时，时变电磁场中电场的切向和法向边界条件。

写出静电场中电介质表面的衔接条件。

auxx+2auxy+auyy+bux+cuy+u=0

A.△mixS=0

B.△mixH=0

C.△mixG=0

D.△mixV>0

动方程，写出E，B的平面波解和E与B的关系。 (2)讨论单频平面电磁波在电介质分界面上的反射和折射，并写出入射角、反射角与折射角之间的关系。

在介质σ=0，ε=4ε₀和μ=5μ₀中，位移电流密度为2cos(ωt-5x)e_zμA/m²。