腹股沟疝或复发疝的发病机制A. 未闭的鞘状突为一条细小管道B. 鞘状突下段闭锁而上段未

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图LP3-7所示，已知VGS(th)=2 V，μnCox=200μA／V2，W=40μm，l=10 μm，设λ=0，要求ID=0．4 mA，VD=1 V，试确定RD、RS值。

在图3-6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，V_GS(th)=-1V，并忽略沟道长度调制效应。

在图3-7所示电路中，已知各管的I_DQ=0.1mA，V_GS(th)=2V，μ_nC_ox=20μA/V²，l=10μm，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W₁、W₂、W₃。

一MOSFET组成的差分放大器如图4-56所示，已知I_SS=25μA，V_GS(th)=1V，W=120μm，l=6μm，μ_nC_ox=20μA/V²，试求V_GSQ、g_m和|V_ID|_max。

一N沟道EMOSFET组成的电路如图3-11所示，要求场效应管工作于饱和区，I_D=1mA，V_DSQ=6V，已知管子参数为，V_GS(th)=2V，设λ=0，试设计该电路。

图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。

(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。

在图LP3-4所示电路中，已知各管的IDQ=0．1 mA，VGS(th)=2 V，l=10μm，μnCox=20μA／V2，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。

在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的V_GS(off)=-2V，I_DSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的V_GS(th)=-2V，μ_nC_oxW/(2l)=0.6mA/V²，试计算V_GSQ、I_DQ、V_DSQ。

A．N沟道增强型MOSFET

B．N沟道耗尽型MOSFET

C．P沟道增强型MOSFET

D．P沟道耗尽型MOSFET