在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效
在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第1题
图LP3-3所示电路,P沟道增强型MOSFET的μpCoxW/(2l)= 40μA/V2,VGS(th)=-1 V,若忽略沟道长度调制效应。
(1)试证:对于任意Rs值,场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12.5 kΩ时,试求电压VO值。
第2题
在图LP3-2所示电路中,假设两管μn、Cox相同,VGS(th)=0.75 V,ID2=1 mA,若忽略沟道长度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
第3题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5 V,增强型MOS管的μpCoxW/(2l)=80μA/V2,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。
第4题
图LT3-3所示电路,已知管子开启电压VGS(th)=2 V,器件工作在饱和模式时ID=1 mA,为维持器件工作在饱和模式,试求电阻R的变化范围。
第5题
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示,试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off),并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
第6题
场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示,试判断场效应管的类型,画出相应器件符号,确定VGS(th),并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。
第7题
,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2《R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道。
第8题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若VI=200 mV,μnCoxW/(2l)=0.01mA/V2,VGS(th)=1.5 V,试分别求出VGS=2.5 V、3 V时的VO值,并进行分析。
第9题
由有源电阻构成的分压器如图LP3-14所示,设各管μCoxW/(2l)相同,|VGS(th)|=1 V,λ=0,试指出各管工作区及其VO值。
第10题
试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ,场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。
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