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求习题5-17图所示各电路的等效电阻Rab，其中，R1=R2=1Ω，R3=R4=2Ω，R5=4Ω，G1=G2=IS，R=2Ω。
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第1题
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知VGS(th)，=2V，μnCox=200μA/V2，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求ID=0.4mA，VD=1V，试确定RD、RS值。
第2题
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图LP3-7所示，已知VGS(th)=2 V，μnCox=200μA／V2，W=40μm，l=10 μm，设λ=0，要求ID=0．4 mA，VD=1 V，试确定RD、RS值。
第3题
考虑一个N沟道MOSFET，其
，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极电流： （1）
且
，则漏极电流ID=（）mA； （2）
且
，则漏极电流ID=（）mA；
第4题
电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=-1V，Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
第5题
设N沟道增强型MOSFET的参数为
当Vcs=2VT,MOSFET工作在饱和区,试计算此时场效管的工作电流ID。
第6题
A．(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;
B．(a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET, c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;
C．(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET;
D．(a)N沟道JFET, (b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道JFET, (d)P沟道增强型MOSFET;
第7题
A．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
B．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道
C．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
D．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型
第8题
A．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
B．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道
C．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
D．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型
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