题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

公民甲死后留有遗产房屋一间和存款若干,法定继承人为其子乙。甲生前立有遗嘱,将其存款赠予侄女丙。

乙和丙被告知三个月后参与甲的遗产分割,但直到遗产分割时,乙与丙均未作出是否接受遗产的意思表示。下列选项正确是()。

A.乙、丙未作表示,视为放弃接受遗产

B.乙未作表示视为接受继承,丙未作表示视为放弃受遗赠

C.乙应视为放弃继承,丙应视为接受遗赠

D.乙、丙均应视为接受遗产

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第1题

【单选题】BJT的内部结构特点如下:()

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

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第2题

晶体管结构特点是:发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
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第3题

从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外,工艺上还要采取如下措施 。

A.发射区掺杂浓度高,集电结面积大

B.发射区掺杂浓度高,集电结面积小

C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小

D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

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第4题

从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外,工艺上还要采取如下措施()

A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小

B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大

C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小

D.发射区掺杂浓度第低,集电结面积大

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第5题

以下属于晶体管能实现电流放大作用的内部条件的有()

A.基区很薄且掺杂浓度低

B.发射区掺杂浓度高

C.集电结面积大

D.发射结正偏,集电结反偏

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第6题

晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第7题

对于PNP晶体管,以下 条件不利于实现放大

A.发射结正偏

B.Wb << Lpb

C.发射区重掺杂

D.集电结反偏

E.基区重掺杂

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第8题

晶体管分为三个掺杂区,发射区的特点是掺杂浓度,基区的特点是区域很薄,掺杂浓度,集电区的特点是掺杂浓度较低,但面积大。

A.高;低

B.高;高

C.低;低

D.低;高

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第9题

以下哪个条件不能使晶体管具有良好的放大性能

A.发射区高掺杂

B.基区宽度较小

C.集电区低掺杂

D.发射结正偏,集电结也正偏

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