从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施（）

A．发射区掺杂浓度高，集电结面积大

B．发射区掺杂浓度高，集电结面积小

C．发射区掺杂浓度低，集电结面积小

D．发射区掺杂浓度低，集电结面积大

A．高；低

B．高；高

C．低；低

D．低；高

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

A．发射区低掺杂

B．发射区高掺杂

C．基区很薄，且掺杂浓度较低

D．基区较厚，且高掺杂