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下列选项中,不属于历史名镇名村常用的保护方法的是()。

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第1题

晶体管在结构上有如下特点,基区做得较薄,发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度大得多。()

晶体管在结构上有如下特点,基区做得较薄,发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度大得多。()

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第2题

晶体管的内部结构特点是:发射区杂质浓度最低,基区杂质浓度最高。
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第3题

晶体管具备电流放大的内部条件是()。
晶体管具备电流放大的内部条件是()。

A.基区薄而其杂质浓度低

B.基区杂质浓度高

C.降低发射区杂质浓度

D.加强电子在基区的复合

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第4题

半导体三极管工作过程中()。A.发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;B.发射区杂质浓度小于基区杂质浓

半导体三极管工作过程中()。

A.发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;

B.发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;

C.发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;

D.发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

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第5题

晶体管由两个PN结组成,所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。()
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第6题

晶体管的基区很薄且杂质浓度很高。()
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第7题

晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用()。
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第8题

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

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第9题

以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。

A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C.减小发射结和集电结面积以减小电容

D.适当降低集电区电阻率和厚度

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第10题

三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,().

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