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[主观题]

晶体管的内部结构特点是:发射区杂质浓度最低,基区杂质浓度最高。

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第1题

晶体管在结构上有如下特点,基区做得较薄,发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度大得多。()

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第2题

制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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第3题

晶体管结构特点是:发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
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第4题

晶体管分为三个掺杂区,发射区的特点是掺杂浓度    ,基区的特点是区域很薄,掺杂浓度    ,集电区的特点是掺杂浓度较低,但面积大。

A、高;低

B、高;高

C、低;低

D、低;高

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第5题

【判断题】晶体管的基区是最薄的,掺杂浓度最低。
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第6题

[图]图示晶体管中的1区和2区分别为A、发射极,基区B、发...

图示晶体管中的1区和2区分别为

A、发射极,基区

B、发射极,集电区

C、基极,集电区

D、基极,基区

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第7题

[图]图示晶体管中的1区和2区分别为A、发射极,基区B、发...

图示晶体管中的1区和2区分别为

A、发射极,基区

B、发射极,集电区

C、基极,基区

D、基极,集电区

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第8题

每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。
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第9题

NPN型晶体管处于放大状态时,由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。
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第10题

三极管的基区掺杂浓度最高,集电区的面积最大。( )
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