题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于P沟道增强型MOS管的导通条件，以下说法正确的是（）
A.UGS（th）＜0，uGS ＜ UGS（th）
B.UGS（th）＜0，uGS ＞ UGS（th）
C.UGS（th）＞0，uGS ＞ UGS（th）
D.UGS（th）＞0，uGS ＜ UGS（th）
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第2题
CMOS反相器基本电路包括（）
A.P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
B.P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
C.P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
D.P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
第6题
下图是一个MOS管的符号及特性。下列说法正确的是哪一个？
A.它是一个N沟道MOS管，|VGS|＞VT时，VG＞VS，MOS管导通；
B.它是一个P沟道MOS管，|VGS|＞VT时，MOS管导通
C.它是一个N沟道MOS管，VGS＞VT时，MOS管导通；
D.它是一个P沟道MOS管，VGS＞VT时，MOS管导通；
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