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[主观题]

砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

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第1题

砷化镓的制备技术中,MBE指分子束外延技术。
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第2题

以下可用来制备砷化镓薄膜的技术有()。

A.液相外延技术

B.金属有机化学气相沉积技术

C.分子束外延技术

D.以上都是

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第3题

以下方法可用来制备砷化镓薄膜的有()。

A.液相外延技术

B.金属有机化学气相沉积技术

C.分子束外延技术

D.以上都是

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第4题

在实际利用液相外延技术生长砷化镓薄膜的过程中,衬底材料与外延材料可能不一致,由于二者的晶格常数不同,会存在()失配。
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第5题

LPE技术制备砷化镓薄膜的优势在于

A.设备简单,价格便宜

B.生产工艺简单安全

C.所用材料毒性小

D.所生长的外延层的晶格完整度好

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第6题

MBE常常用于化合物半导体的外延层生长,例如砷化镓等等。
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第7题

利用LPE技术生长的砷化镓外延层厚度不能精确控制,薄膜均匀性差,生长1微米以下的薄膜比较困难。
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第8题

LED外延片的衬底材料考虑的因素()。

A.衬底与外延膜的热膨胀系数匹配

B.衬底与外延膜的结构匹配

C.衬底与外延膜的化学稳定性匹配

D.材料制备的难易程度及成本的高低

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第9题

金属有机化学气相沉积技术制备砷化镓薄膜时,主要采用()气体作为携带气体。

A.氮气

B.氢气

C.氧气

D.氦气

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第10题

厦门公司主营产品: __、 __、 __()

A.芯片、电池、外延片

B.LED芯片,高性能砷化嫁太阳能电池,LED外延片

C.LED芯片,高性能电池,外延片

D.LED芯片,砷化嫁太阳能电池,LED外延片

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第11题

FET的主要材料是()

A.钢

B.硅

C.砷化镓

D.铝合金

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