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[主观题]

在实际利用液相外延技术生长砷化镓薄膜的过程中,衬底材料与外延材料可能不一致,由于二者的晶格常数不同,会存在()失配。

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第1题

晶体硅薄膜外延层增强技术中的绒面衬底上的外延生长技术主要分为化学和 两种方法。
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第2题

利用LPE技术生长的砷化镓外延层厚度不能精确控制,薄膜均匀性差,生长1微米以下的薄膜比较困难。
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第3题

以下可作为外延晶体硅薄膜太阳能电池衬底的材料有( )。

A、玻璃

B、熔石英

C、氧化锆陶瓷

D、晶体硅片

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第4题

高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题

LPE技术制备砷化镓薄膜的优势在于

A、设备简单,价格便宜

B、生产工艺简单安全

C、所用材料毒性小

D、所生长的外延层的晶格完整度好

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第6题

简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?...

简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?

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第7题

以下可用来制备砷化镓薄膜的技术有( )。

A、液相外延技术

B、金属有机化学气相沉积技术

C、分子束外延技术

D、以上都是

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第8题

液相外延技术的典型实验温度为700-900℃,薄膜生长速率为1nm/min数量级。
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第9题

影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?

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第10题

液相外延制膜法指含溶质的溶液(或熔体)借助过冷而使溶质在衬底上析出生长单晶薄膜的方法。
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