晶体硅薄膜外延层增强技术中的绒面衬底上的外延生长技术主要分为化学和 两种方法。

A、绒面衬底上的外延生长

B、硅锗合金

C、量子点太阳能电池

D、掩埋背反射镜

此题为判断题(对，错)。

B、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点

C、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少

D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应，所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中

A、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。

B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。

C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。

D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。

A、化学沉积法

B、电沉积法(ED)

C、喷涂法(SP)

D、物理气相沉积法(PVD)