单向可控硅可靠导通后，降低控制极电流，可控硅（）

A、仍然导通

B、永远导通

C、关断

D、视阳、阴极电压极性而定

A.永远导通

B.仍然导通

C.关断

D.截止

A仍然导通

B永远导通

C关断

D截止

A.偏置

B.低阻导通

C.高阻导通

D.截止

A.导通条件：可控硅阳极加正向电压（即阳极电位高于阴极电位），且门极有足够的正向电压和电流。 关断条件：可控硅阳极加反向电压（即阳极电位低于阴极电位）

B.导通条件：可控硅阳极加正向电压，且门极有足够的正向电压和电流 关断条件：可控硅阳极电流小于维持电流

C.导通条件：可控硅阳极加正向电压，或门极有足够的正向电压和电流 关断条件：可控硅门极加反向电压（即门极电位低于阴极）

D.导通条件：可控硅阳极加正向电压，且门极有足够的正向电压和电流 关断条件：可控硅门极加反向电压

A.阴阳极之间加正向电压

B.阳阴极之间加正向电压

C.减小触发极触发电压

D.减小触发极触发电流

A.阴阳极之间加正向电压

B.阳阴极之间加正向电压

C.减小触发极触发电压

D.减小触发极触发电流

A.截止

B.导通截止

C.截止

D.导通