题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管()

A.绝缘栅双极晶体管

B.可关断晶闸管

C.电力晶体管

D.电力场效应晶体管

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第1题

电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

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第2题

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_ __,属于半控型器件的是__ _,属于全控型器件的是 _ _;属于单极型电力电子器件的有_ _,属于双极型器件的有_ _,属于复合型电力电子器件得有 __ _;在可控的器件中,容量最大的是_
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第3题

【判断题】绝缘栅双极型晶体管(IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。
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第4题

已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
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第5题

绝缘栅双极型晶体管IGBT是的复合管()
A.电力晶体管GTR

B.可控硅SCR

C.电力场效应管MOSFET

D.可关断可控硅GTO

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第6题

此题为判断题(对,错)。

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第7题

请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管 ;可关断晶闸管 ;功率场效应晶体管 ;绝缘栅双极型晶体管 ;IGBT是 和 的复合管。
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第8题

请在空格内标出下面元件的英文大写简称:电力晶体管  ;可关断晶闸管  ;功率场效应晶体管   ;绝缘栅双极型晶体管  ;IGBT是 和 的复合管。
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第9题

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)为电压型触发,仅需极小的功率就能控制IGBT的通断,降低能耗。
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第10题

关于绝缘栅双极晶体管,以下说法正确的是

A、驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件

B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供

C、通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管

D、高耐压的同时也具有很小的通态压降

E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大

F、关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长

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