题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管()
A.绝缘栅双极晶体管
B.可关断晶闸管
C.电力晶体管
D.电力场效应晶体管
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A.绝缘栅双极晶体管
B.可关断晶闸管
C.电力晶体管
D.电力场效应晶体管
第2题
第10题
A、驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件
B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C、通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管
D、高耐压的同时也具有很小的通态压降
E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F、关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长
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