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[主观题]

没有驱动信号时,MOS管处于截止状态,这样的MOS管称为增强型MOS管。

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第1题

题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻[图]是由MOS管的()效...

题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的()效应产生的。

A、体

B、衬偏

C、沟长调制

D、亚阈值导通

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第2题

题19、MOS管的小信号输出电阻ro是由MOS管的 效应产生的。

A、体

B、衬偏

C、沟长调制

D、亚阈值导通

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第3题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?
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第4题

MOS器件小信号模型中的mbg是由MOS管的()效应引起。
A.二级

B.衬偏

C.沟长调制

D.亚阈值导通

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第5题

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示,试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路,推导电压放大倍数Au=uo/ui、输入电阻Ri和输出电阻Ro的计算公式。

  

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第6题

关于二极管连接的MOS器件的说法正确的有()

A、所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接,起到小信号电阻的作用

B、将MOS管作二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区

C、二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关,与偏置电流无关,即输入与输出呈线性

D、二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比,增益AV越大,最大输出电压Voutmax越小

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第7题

当输入信号A为高电平时,哪个MOSFET工作在可变电阻区状态?

A、P沟道增强型MOS管

B、N沟道增强型MOS管

C、N沟道耗尽型MOS管

D、P沟道耗尽型MOS管

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第8题

下列关于MOS模型的说法正确的有()

A、MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立

B、当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算

C、MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数

D、MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

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第9题

图中电路不能正常工作的最重要原因是()。 [图]A、MOS管...

图中电路不能正常工作的最重要原因是()。

A、MOS管可能截止

B、输出端可能出现严重失真

C、输入信号的共模电平影响电路性能

D、电路不对称

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第10题

当不考虑沟道调制效应时,MOS管小信号模型中的rds可近似为零。
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