电力MOSFET的三个端子是栅极G、源极S、漏极D。

B．GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C．电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D．IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。

A、当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

B、当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C、当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

D、当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。

A.发射极，基极，集电极

B.第一基极，发射极，第二基极

C.源极，栅极，漏极

D.阴极，门极，阳极

B、三个电极，分别为栅极g、源极s、漏极d

C、两个PN结，分别是发射结和集电结

D、两个PN结耗尽层

此题为判断题(对，错)。