题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
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B、GTO
C、GTR
D、IGBT
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第3题
关于单相桥式全控整流电路，电阻性负载，以下描述正确的是?()
A、触发角的移相范围是0°—90°
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B、变压器二次侧电流不含有直流分量
C、晶闸管承受的最大正向电压和反向电压相同
D、VT1和VT2触发角相同，相位相差90°
第4题
关于三相桥式全控整流电路，大电感负载，以下描述正确的是?()
A、变压器二次侧电流含有直流分量，平均值不为零
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B、晶闸管承受最大正反向电压均为相电压的峰值
C、负载电压平均值表达式为Ud=2.34U2cosα
D、触发角的移相范围为0°-180°
第5题
以下关于联合检测技术的描述，正确的是（）
A.联合检测技术属于多用户检测的一种
B.运用联合检测技术不可以削弱远近效益
C.联合检测技术把用户信息从众多的用户信息中分离出来，其他用户的信息作为干扰处理，所以它提高了接收机灵敏度
D.联合检测技术对系统的功控要求很高
第6题
关于数字化风控，以下说法正确的是：()。
A.通过大数据分析、机器判断，可以精准评价客户风险
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B.依托数字化风控可以减少人工干预，避免操作和道德风险
C.数字化风控可以最大限度降低风控人力成本，提高效益
D.数字化风控仍存在明显缺陷，只能承担辅助作用，未来任何业务也不可能完全脱离人工审查
第7题
关于Gb接口流控，以下说法正确的是（）
A.Gb接口流控包括BVC流控和MS流控
B.一般来说，在Gb口只需要进行从SGSN到PCU的下行流控，而不需要上行流控
C.Gb接口流控的原因是因为Gb口和UM口速率的不平衡导致的
D.流控机制对PCU来说，是可选的
第8题
关于Gb接口流控，以下说法正确的是（）。
A.Gb接口流控包括BVC流控和MS流控
B.一般来说，在Gb口只需要进行从SGSN到PCU的下行流控，而不需要上行流控
C，Gb接口流控的原因是因为Gb口和UM口速率的不平衡导致的
D，流控机制对PCU来说，是可选的
第9题
以下关于反应进料加热炉联锁描述不正确的是( )。
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A、控制室设停燃料气按钮，设置在辅助操作台上，当按下时可从控制室手动停燃料气
B、当混氢流量低低时，联锁关闭反应加热炉主燃料气线上的切断阀及长明灯
C、在操作室和现场各设一个停燃料气按钮，现场按钮要求距加热炉15米
D、当反应进料泵出口流量低低时，联锁关闭出口切断阀的同时，联锁关闭反应加热炉主燃料气线上的切断阀，加热炉熄火，长明灯保留
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