PN结在正常工作时，下列描述不正确的是（）？

A、半导体、本征半导体均具有导电能力。

B、二极管特性曲线分三个区：正向工作区、反向工作区、击穿区。

C、二极管的主体是PN结，但两者特性仍有区别。

D、当PN结外加正向电压超过一定大小时，PN结将被击穿。

A、△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。

B、△Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。

C、△Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。

D、△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。

A、三极管有放大、截止 、饱和三个工作区。

B、当晶体管进入饱和区时，具有的放大能力比较微弱。

C、当晶体管发射结正偏，集电结反偏时，晶体管工作在放大区 。

D、常用晶体管构成小信号放大器。

A、放大器的输出电阻反映了放大电路的负载特性，大小应适中。

B、构成三极管放大电路时，应保证三极管发射结正偏，集电结正偏。

C、对一个放大系统而言，输入电阻越大越好 。

D、放大本质上是对功率的放大。

A、PN结正向电流是以多子注入形成的电流为主

B、PN结反向电流属于少子电流，受温度影响大

C、PN结正向电压增大，电流会随之增加

D、PN结反向电压变大，电流会随之减小

A、平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷　区是由施主杂质离子构成的

B、正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主

C、PN结中自建电场的方向是由N区指向P区

D、PN结始终具有整流特性

A、中等回回声团

B、后方伴声影

C、可伴有胆泥回声

D、会在胆囊内移动

A、PN结中主要存在是少子漂移电流

B、电流很小，一般可以忽略

C、工作温度较高时，反向电流不可忽略

D、反向电流随反向电压指数增加

A、势垒区中，能带拥有统一稳定的费米能级

B、扩散区中的少子的费米能级均不随x_n或x_p的变化而改变

C、扩散区中的多子浓度不随x_n或x_p的变化而变化

D、势垒区中的载流子浓度随x而改变

E、势垒高度随正向偏压增加而减小

F、总电流密度随x而改变

A、平衡PN结中不存在扩散和漂移电流

B、平衡PN结中P区和N区的费米能级应该是统一的

C、平衡PN结中自建电场的方向是从P区指向N区

D、平衡PN结的空间电荷区中的载流子浓度和P区，N区中的多子浓度基本一致