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[单选题]

不考虑界面态时,对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是?

A.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用,而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。

B.△Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用,而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。

C.△Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响,而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。

D.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用,△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。

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第1题

对于同型异质结的能带结构,以下描述正确的是?

A、两者的界面处 一边形成了积累层,一边则形成耗尽层

B、界面两边形成的都是耗尽层

C、界面两边形成的都是积累层

D、界面两边形成的都是反型层

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第2题

下面对PN结单向导电性描述正确的是()

A、正向导通,反向截止

B、正偏时PN结等效为一个大电阻

C、反偏时PN结等效为一个大电阻

D、正偏时PN结内有较大电流通过,PN结内电流方向是由N区流向P区

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第3题

PN结反向偏置时,下述描述正确的是( )。

A、扩散运动得到抑制

B、空间电荷区变窄

C、形成多子运动的正向电流

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第4题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态?

A、

B、

C、

D、

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第5题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态?

A、

B、

C、

D、

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第6题

关于反向电压作用下的PN结,说法不正确的是

A、PN结中主要存在是少子漂移电流

B、电流很小,一般可以忽略

C、工作温度较高时,反向电流不可忽略

D、反向电流随反向电压指数增加

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第7题

PN结由开态向关态转变时存在较大反向电流的原因是

A、因为电流是由多数载流子构成的,多子电流较大

B、因为PN结击穿了,所以存在较大的反向电流

C、因为正向导通时积累的少子比较多,所以形成的瞬间电流较大

D、因为反向电压大,所以电流大

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第8题

PN结外加反向电压时,下面正确的说法是( )。

A、N区的电子与P区的空穴都靠近空间电荷区,使空间电荷区变宽

B、N区的空穴与P区的电子都远离空间电荷区,使空间电荷区变宽

C、N区的电子与P区的空穴形成的电流,称为反向电流

D、N区的空穴与P区的电子形成的电流,称为反向电流

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第9题

PN结反偏时导通
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第10题

下列关于PN结反向击穿的描述,错误的是 ( )。

A、雪崩击穿和齐纳击穿都属于电击穿,在允许的耗散功率内,击穿是可逆的;

B、一般情况下,雪崩击穿要求二极管掺杂浓度较高;

C、热击穿会导致二极管烧毁,应当避免;

D、通常,雪崩击穿的击穿电压高于齐纳击穿的击穿电压。

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