不考虑界面态时,对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是?
A.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用,而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。
B.△Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用,而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。
C.△Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响,而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。
D.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用,△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。
A.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用,而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。
B.△Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用,而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。
C.△Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响,而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。
D.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用,△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。
第1题
A、两者的界面处 一边形成了积累层,一边则形成耗尽层
B、界面两边形成的都是耗尽层
C、界面两边形成的都是积累层
D、界面两边形成的都是反型层
第2题
A、正向导通,反向截止
B、正偏时PN结等效为一个大电阻
C、反偏时PN结等效为一个大电阻
D、正偏时PN结内有较大电流通过,PN结内电流方向是由N区流向P区
第7题
A、因为电流是由多数载流子构成的,多子电流较大
B、因为PN结击穿了,所以存在较大的反向电流
C、因为正向导通时积累的少子比较多,所以形成的瞬间电流较大
D、因为反向电压大,所以电流大
第8题
A、N区的电子与P区的空穴都靠近空间电荷区,使空间电荷区变宽
B、N区的空穴与P区的电子都远离空间电荷区,使空间电荷区变宽
C、N区的电子与P区的空穴形成的电流,称为反向电流
D、N区的空穴与P区的电子形成的电流,称为反向电流
第10题
A、雪崩击穿和齐纳击穿都属于电击穿,在允许的耗散功率内,击穿是可逆的;
B、一般情况下,雪崩击穿要求二极管掺杂浓度较高;
C、热击穿会导致二极管烧毁,应当避免;
D、通常,雪崩击穿的击穿电压高于齐纳击穿的击穿电压。
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