MOSFET转移特性曲线如图，iD参考方向流进漏极，[图]，当v...

下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型，其开启电压U_GS(th)为多少?若是耗尽型，其夹断电压U_GS(off)为多少?(图中i_D的正方向假定为流进漏极)。

对于如图所示的转移特性曲线（电流的参考方向为流入漏极），Q点处的跨导是 。

A、1S

B、2S

C、

D、

A、属于N沟道增强型MOS管

B、属于P沟道增强型MOS管

C、属于N沟道耗尽型MOS管

D、属于P沟道耗尽型MOS管

E、VTN= -4 V

F、VPN= -4 V

G、VTP=-4 V

H、VPP=-4 V

一个MOSFET的转移特性如下图所示(假定漏极电流i_D的正向是它的实际方向)。试问：(1)该管是耗尽型，还是增强型?(2)FET是N沟道，还是P沟道?(3)从转移特性上求出的是FET的夹断电压V_P，还是开启电压V_T?其值等于多少？

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流i_D的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

A、增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V

B、耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V

C、增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V

D、耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V

A、耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V

B、P沟JFET管，夹断电压VP为2V

C、N沟JFET管，夹断电压VP为2V

D、增强型NMOS管，开启电压为2V