已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。

已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。

A、状态1：饱和区；状态2：饱和区：

B、状态1：截止区；状态2：饱和区

C、状态3：变阻区；状态4：饱和区

D、状态3：饱和区；状态4：变阻区

已知某N沟道结型场效应管的U_GS(off)=-5V。表给出四种状态下的u_GS和u_DS的值，判断各状态下管子工作在什么区。(A．恒流区，B．可变电阻区，C．截止区)。

状态	1	2	3	4
uGS/V	-1	-2	-2	-6
uDS/V	3	4	2	10
工作区

已知某N沟道结型场效应管的U_GS(off)=-5V。下表给出四种状态下的U_GS和U_DS的值，判断各状态下管子工作在什么区(a．恒流区，b．可变电阻区，c．截止区)。

	1	2	3	4
UGS/V	-1	-2	-2	-6
UDS/V	3	4	2	10
工作区

A、UGS=0

B、UGS>UGS(th)

C、UGS>0

D、UGS<0<br>

简述MOS场效应管的基本组成，并简要说明N沟道增强型MOS场效应管与P沟道耗尽型MOS场效应管电路符号的特点。

试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。

某N沟道增强型MOS管的开启电压U_GS(th)=4V，为了使该场效应管工作于恒流区(即放大区)，应对其施加的直流偏置电压为(  )。

  A．U_GS＞4V,U_GD＜4V  B．U_GS＞4V,U_GD＞4V

  C．U_GS＜4V,U_GD＜4V  D．U_GS＜4V,U_GD＞4V

A、正值

B、负值

C、零

D、可正、可负、可零

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?