已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。

已知某N沟道结型场效应管的U_GS(off)=-5V。表给出四种状态下的u_GS和u_DS的值，判断各状态下管子工作在什么区。(A．恒流区，B．可变电阻区，C．截止区)。

状态	1	2	3	4
uGS/V	-1	-2	-2	-6
uDS/V	3	4	2	10
工作区

已知某N沟道结型场效应管的U_GS(off)=-5V。下表给出四种状态下的U_GS和U_DS的值，判断各状态下管子工作在什么区(a．恒流区，b．可变电阻区，c．截止区)。

	1	2	3	4
UGS/V	-1	-2	-2	-6
UDS/V	3	4	2	10
工作区

试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。

某N沟道增强型MOS管的开启电压U_GS(th)=4V，为了使该场效应管工作于恒流区(即放大区)，应对其施加的直流偏置电压为(  )。

  A．U_GS＞4V,U_GD＜4V  B．U_GS＞4V,U_GD＞4V

  C．U_GS＜4V,U_GD＜4V  D．U_GS＜4V,U_GD＞4V

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?

简述绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理。

绝缘栅N沟道增强型与耗尽型场效应管有何不同?

此题为判断题(对，错)。

在图LT3-4所示电路中，已知VGS(th)=-1．5 V，增强型MOS管的μpCoxW／(2l)=80μA／V2，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。

N沟道增强型场效应管的电路如图1．5．11所示。已知管子的工艺参数k=0．08mA／V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为一100V。试计算IDQ和VDSQ的值，并画出小信号等效电路，求gm和rds的值。