题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
工作于饱和区的MOS晶体管,漏源电流IDS与栅源电压VGS成线性关系。
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第2题
A、预夹断临界点
B、饱和区(恒流区、放大工作区)
C、可变电阻区
D、截止区
第3题
A、饱和区(恒流区、放大工作区)
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
第4题
A、恒流区(饱和区、放大工作区)
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
第5题
A、恒流区(饱和区、放大工作区)
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
第10题
A、耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负,也可以为零,都能保证器件工作于放大区。
B、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
C、MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
D、增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。
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