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第1题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?
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第2题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?
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第3题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?
A、本征状态
B、平坦能带状态
C、多子积累状态
D、深耗尽状态
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第4题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?
A、平坦能带状态
B、少子反型状态
C、深耗尽状态
D、本征状态
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第5题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?
A、多子积累
B、多子耗尽
C、平坦能带
D、本征状态
E、少子反型
F、少子积累
G、少子耗尽
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第6题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态?
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第7题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态?
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第8题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?
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第9题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?
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第10题
对于p型半导体构成的理想MIS结构,在多子积累时,总电容就等于绝缘层电容。
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