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[单选题]

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

A.对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

B. 对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

C. 对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

D. 对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

E. 对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

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第1题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

A、

B、

C、

D、

E、

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第2题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

A、

B、

C、

D、

E、

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第3题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?

A、本征状态

B、平坦能带状态

C、多子积累状态

D、深耗尽状态

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第4题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?

A、平坦能带状态

B、少子反型状态

C、深耗尽状态

D、本征状态

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第5题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?

A、多子积累

B、多子耗尽

C、平坦能带

D、本征状态

E、少子反型

F、少子积累

G、少子耗尽

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第6题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态?

A、

B、

C、

D、

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第7题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态?

A、

B、

C、

D、

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第8题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?

A、多子积累

B、少子积累

C、多子耗尽

D、少子反型

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第9题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?

A、少子反型

B、多子积累

C、多子耗尽

D、本征状态

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第10题

对于p型半导体构成的理想MIS结构,在多子积累时,总电容就等于绝缘层电容。
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