题2-2-4、 一个MOS管的本征增益表述错误的是（）。

A、栅极氧化层电容

B、耗尽层电容

C、源漏交叠电容

D、结电容

题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

A、体

B、衬偏

C、沟长调制

D、亚阈值导通

A、恒压源

B、电压控制电流源

C、恒流源

D、电流控制电压源

A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大，电压增益也越大

B.L

C.W/L

D.tox

A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源

B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率

C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容

D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失

题2-2-5、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。

A、亚阈值区

B、深三极管区

C、三极管区

D、饱和区

A、最高振荡频率>特征频率

B、理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

D、最高振荡频率与器件栅氧层厚度成反比

A、截止

B、三极管

C、深三极管

D、饱和