题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

题3-2-12 以下是物理气相沉积工艺中真空蒸镀法的缺点是。

A.设备简单，操作容易

B.所制备的薄膜纯度较高，厚度控制较精确，成膜速率快

C.生长机理简单

D.工艺重复性不够理想

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第1题

题3-2-11 以下是物理气相沉积工艺的是。

A、真空蒸发

B、LPCVD

C、PECVD

D、MOCVD

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第2题

题3-2-10 以下不是化学气相沉积工艺所成薄膜质量指标的是。

A、台阶覆盖特性

B、薄膜致密性

C、薄膜厚度均匀性

D、薄膜宽度

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第3题

表面改性技术“PVD”指的是( )。

A．物理气相沉积

B．化学气相沉积

C．离子注入

D．热渗镀

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第4题

物理气相沉积是利用气体物质在固体表面沉积成膜的技术，包括蒸镀，溅射，离子镀。

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第5题

非晶硅薄膜的化学气相沉积工艺中，下列沉积速率最快的是（）

A、微波等离子体化学气相沉积

B、热丝化学气相沉积

C、光诱导化学气相沉积

D、直流等离子体化学气相沉积

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第6题

化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的区别在于前者需要在真空环境下进行。

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第7题

以下不属于热丝化学气相沉积技术缺点的是（）。

A、热丝寿命短；

B、热丝会产生污染；

C、所制备薄膜的晶粒尺寸大；

D、所制备的薄膜缺陷态密度高。

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第8题

利用化学气相沉积法和物理气相沉积法均可以获得非晶硅膜。

A．错误

B．正确

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第9题

物理气相沉积过程中，不会发生化学反应。

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