题2-2-7、MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。

A、

B、

C、

D、

A.二级

B.衬偏

C.沟长调制

D.亚阈值导通

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?

A、MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立

B、当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算

C、MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数

D、MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

A、体

B、衬偏

C、沟长调制

D、亚阈值导通

A、体

B、衬偏

C、沟长调制

D、亚阈值导通

A、栅极氧化层电容

B、耗尽层电容

C、源漏交叠电容

D、结电容

在图LT3-4所示电路中，已知VGS(th)=-1．5 V，增强型MOS管的μpCoxW／(2l)=80μA／V2，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。

A、反型

B、夹断

C、耗尽

D、导通