题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
N沟道增强型MOS管的开启电压VTN ＜ 0， P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP ＞ 0。
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
A．存在 B．不存在
更多“N沟道增强型MOS管的开启电压VTN ＜ 0， P沟道耗尽型…”相关的问题
第9题
下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：
A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
热门考试
全部 >
相关试卷
全部 >
2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（十）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（九）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（八）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（七）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（六）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（五）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（四）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（三）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（二）2024年天津建筑三类人员《企业主要负责人（A证）》模拟卷（一）
