第1题
第2题
B、门极可关断晶闸管
C、功率场效应管
D、大功率晶体管
第3题
第4题
第5题
第6题
A、IGBT
B、MOSFET
C、晶闸管
D、GTO
第7题
A、晶闸管
B、电力MOSFET
C、IGBT
D、GTR
E、GTO
第8题
B、GTO
C、GTR
D、MOSFET
E、IGBT
第9题
A、不可控型
B、半控型
C、全控型
D、以上答案全错
第10题
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
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