以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（）

A、表面处费米能级与本征费米能级重合

B、表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央

C、表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等

D、表面势等于费米势的两倍

E、表面反型电子浓度等于体内空穴浓度

A、多子积累

B、平带

C、弱反型

D、强反型

A、金属的费米能级比半导体低

B、半导体表面势为正

C、半导体表面能带向下弯曲

D、半导体表面处于积累状态

E、以上说法都不对

A、多子积累

B、多子耗尽

C、少子反型

D、少子积累

E、少子耗尽

F、多子反型

G、平带

P型半导体构成的MIS结构，若，假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。

A、

B、

C、

D、无法判断

A、半导体表面附近的空穴不能产生

B、半导体表面附近的电子不能产生

C、半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化

D、半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化

E、半导体发生了深耗尽

F、以上均不是

A、向负偏压方向平行移动

B、向正偏压方向平行移动

C、不变

D、无法判断

A、反型空穴的浓度低于Nd

B、反型空穴离界面太近

C、反型空穴总数太少

D、反型空穴与电子正好是电中性的

E、反型空穴是二维电子气

F、以上均不是