题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
A.表面处费米能级与本征费米能级重合
B.表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
C.表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等
D.表面势等于费米势的两倍
E.表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
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第2题
理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
A、半导体表面附近的空穴不能产生
B、半导体表面附近的电子不能产生
C、半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
D、半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
E、半导体发生了深耗尽
F、以上均不是
第4题
以下对L-谷氨酸脱氢酶的描述哪一项是错误的( )
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A．它催化的是氧化脱氨反应
B．它的辅酶是NAD+或NADP+
C．它和相应的转氨酶共同催化联合脱氨基作用
D．它在生物体内活力不强
E．它是一种变构酶，ATP是其变构抑制剂
第5题
关于NMOSFET发生GIDL现象时,描述错误的是________
A、现象区处于强反型状态
B、可以按照p+n+结理解其能带图
C、p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内
D、电子流向漏极
E、空穴流向源极
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