对于中等掺杂的某半导体样品，时，其空穴扩散系数为，则空穴迁移率大约为（）。

对于中等掺杂的某半导体样品，时，其空穴扩散系数为，则空穴迁移率大约为（ ）。

A、300

B、400

C、600

D、900

【习题5-16】在电阻率为的n型硅半导体样品，空穴寿命，在其平面形成的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩载流子浓度等于？

室温下，某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为，电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为，则其漂移电流密度为（ ）。

A、

B、

C、

D、

室温下，某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为，电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为，则其漂移电流密度为（ ）。

A、

B、

C、

D、

A、

B、

C、位于以上，且很接近EF的能级

D、位于以下，且很接近EF的能级

A、

B、

C、位于以上，且很接近EF的能级

D、位于以下，且很接近EF的能级

A、掺入n型杂质

B、掺入p型杂质

C、本征激发

D、引入深能级

一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n₀和p₀，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm³·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n₀)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为

   

若用吸收系数大的波长光照半导体样品时，在表面附近将产生电子—空穴对，试求因迁移率不同的两种载流子在x₁和x₂两点间感生的丹倍电动势

  

  式中，σ₁、σ₂分别为x₁和x₂处的电导率。

通过半导体中的电流为空穴电流。()