对于中等掺杂的某半导体样品，时，其空穴扩散系数为，则空穴迁移率大约为（）。

【习题5-16】在电阻率为的n型硅半导体样品，空穴寿命，在其平面形成的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩载流子浓度等于？

A、掺入n型杂质

B、掺入p型杂质

C、本征激发

D、引入深能级

一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n₀和p₀，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm³·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n₀)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为

   

若用吸收系数大的波长光照半导体样品时，在表面附近将产生电子—空穴对，试求因迁移率不同的两种载流子在x₁和x₂两点间感生的丹倍电动势

  

  式中，σ₁、σ₂分别为x₁和x₂处的电导率。

通过半导体中的电流为空穴电流。()

A.复合机构

B.能带结构

C.晶体结构

D.散射机构

用光照射N型半导体样品(小注入)，假设光被均匀的吸收，电子-空穴对的产生率为G_L，空穴的寿命为τ，光照开始时，即t=0，△p=0，试求出：

P型半导体是在本征半导体中掺入受主杂质在扩散作用下形成的，其特征为()

A、多数载流子是空穴

B、少数载流子是电子

C、费米能级在价带顶之上

D、费米能级的位置在本征费米能级之下

试说明在室温下，某半导体的电子浓度时，其电导率σ为最小值。式中n_i是本征载流子浓度，μ_p、μ_n分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为g_p，非平衡空穴的寿命为τ_p，光脉冲宽度△t=3τ_p。